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1N65G
1个N沟道 耐压:600V 电流:1A
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- 描述
- 此款消费级MOSFET采用紧凑型SOT-223封装，内部集成N沟道结构，具备出色的耐压性能（650V）和连续电流承载能力（1A），尤其适用于各类高压、低功耗应用场景
- 商品型号
- 1N65G
- 商品编号
- C19723845
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.334克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 119pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
商品特性
- 100%雪崩测试
- 雪崩耐用性
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 高速开关
- 极低的导通电阻
应用领域
- 光伏逆变器
- 开关应用
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