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HC2M0045170D
ID:72A VDSS:1700V RDON:45mR N沟道
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- 描述
- 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为1700V超高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达72A，适用于极端条件下的电源转换、电机驱动和逆变系统，具备出色的高温稳定性、低导通电阻及快速开关性能，是现代电力电子设备的核心部件。
- 商品型号
- HC2M0045170D
- 商品编号
- C19723849
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 11.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 耗散功率(Pd) | 520W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.672nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.7pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 171pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ |