HC2M0080120D
ID:36A VDSS:1200V RDON:80mR N沟道
- SMT扩展库
- PCB免费打样
- 描述
- 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为1200V高电压、大电流应用设计。额定电流36A，特别适合严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统，具备出色的高温稳定性能、低导通电阻及快速开关速度，是现代高效能源管理的理想半导体元件。
- 商品型号
- HC2M0080120D
- 商品编号
- C19723850
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.133333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源击穿电压(Vds) | 1200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1管
1+￥25.599￥36.57
10+￥21.882￥31.26
30+￥19.677￥28.11￥843.3
90+￥17.444￥24.92￥747.6
510+￥16.415￥23.45￥703.5
990+￥15.953￥22.79￥683.7
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
26
江苏仓
4
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单