HC2M0160120D
ID:18A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道
- SMT扩展库
- PCB免费打样
- 描述
- 该款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为1200V高电压应用设计。额定电流18A，适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统，具备卓越的高温稳定性能、低导通电阻和快速开关响应速度，是现代电力电子设备中实现高效能控制的理想组件。
- 商品型号
- HC2M0160120D
- 商品编号
- C19723851
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.933333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源击穿电压(Vds) | 1200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1管
1+￥19.38￥38.76
10+￥16.615￥33.23
30+￥14.925￥29.85￥895.5
90+￥13.51￥27.02￥810.6
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
90
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单