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HC3M0075120D
ID:32A VDSS:1200V RDON:75mR N沟道
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- 描述
- 这款工业级碳化硅N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为高电压、大电流应用设计。额定击穿电压1200V，连续电流可达32A，尤其适用于电源转换器、电机驱动及工业逆变系统，具备卓越的高温稳定性和低损耗特性，是严苛环境下高效能电力管理的理想选择。
- 商品型号
- HC3M0075120D
- 商品编号
- C19723859
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |