HC2M0080120K

ID:36A VDSS:1200V RDON:80mR N沟道

描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为高电压、大电流应用打造。额定耐压1200V，连续电流高达36A，适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统，具备卓越的高温性能、低导通电阻及高效能优势，是现代能源管理系统的核心器件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HC2M0080120K
商品编号: C19723862
商品封装: TO-247-4L
包装方式: 管装
商品毛重: 17.6克(g)

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990+￥16.112￥20.14￥604.2

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	属性	参数值
	商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
	漏源击穿电压(Vds)	1200V