温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HC2M0080120K
ID:36A VDSS:1200V RDON:80mR N沟道
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为高电压、大电流应用打造。额定耐压1200V，连续电流高达36A，适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统，具备卓越的高温性能、低导通电阻及高效能优势，是现代能源管理系统的核心器件。
- 商品型号
- HC2M0080120K
- 商品编号
- C19723862
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 17.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.475nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 94pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ |
相似推荐
其他推荐