温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

HC3M0015065D

ID:120A VDSS:650V RDON:15mR N沟道

描述: 这款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为处理高电压、大电流应用设计。额定电压650V，可承载120A连续电流，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备出色的导通性能和散热效率，是现代高效能电力控制的理想半导体元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HC3M0015065D
商品编号: C19723863
商品封装: TO-247-3L
包装方式: 管装
商品毛重: 16.6克(g)

商品参数

梯度

折扣价

原价

折合1管

1+￥65.247￥100.38

10+￥61.932￥95.28

30+￥56.1925￥86.45￥2593.5

90+￥51.181￥78.74￥2362.2

(单位：个)

(30个/管，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个30个/管

￥ 0.00

近期成交7单

	属性	参数值
	商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
	漏源击穿电压(Vds)	650V