温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HC3M0015065D
ID:120A VDSS:650V RDON:15mR N沟道
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为处理高电压、大电流应用设计。额定电压650V，可承载120A连续电流，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备出色的导通性能和散热效率，是现代高效能电力控制的理想半导体元件。
- 商品型号
- HC3M0015065D
- 商品编号
- C19723863
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 16.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 501pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 289pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ |