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HC2M0160120K

ID:19A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道

描述: 这款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为1200V高电压应用设计。额定电流19A，适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统，具备卓越的高温稳定性、低导通损耗和快速开关特性，是现代高效能源管理与功率转换的理想器件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HC2M0160120K
商品编号: C19723861
商品封装: TO-247-4L
包装方式: 管装
商品毛重: 12.2克(g)

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	属性	参数值
	商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
	漏源击穿电压(Vds)	1200V