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HC2M0160120K
ID:19A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为1200V高电压应用设计。额定电流19A，适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统，具备卓越的高温稳定性、低导通损耗和快速开关特性，是现代高效能源管理与功率转换的理想器件。
- 商品型号
- HC2M0160120K
- 商品编号
- C19723861
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 103W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 730pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 31pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 208mΩ |
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