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HC3M0015065K
ID:120A VDSS:650V RDON:15mR N沟道
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- 描述
- 该工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为650V高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达120A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻和高效散热性能，是现代电子设备实现高功率密度与能效的理想半导体组件。
- 商品型号
- HC3M0015065K
- 商品编号
- C19723853
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 188nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.011nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 289pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ |