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HC3M0032120D
ID:63A VDSS:1200V RDON:32mR N沟道
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- 描述
- 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为1200V高压大电流应用设计。额定连续电流高达63A，特别适合于电源转换、电机驱动及逆变系统等严苛环境，具备出色的高温性能、低导通损耗和快速开关响应，是现代高效能电力电子设备的核心组件。
- 商品型号
- HC3M0032120D
- 商品编号
- C19723855
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.357nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ |
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