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HC3M0060065K
ID:29A VDSS:650V RDON:60mR N沟道
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- 描述
- 该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为处理650V高电压、中大电流应用设计。额定连续电流高达29A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备优秀的导通性能与散热效能，是现代工业和消费电子设备的理想功率半导体组件。
- 商品型号
- HC3M0060065K
- 商品编号
- C19723858
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ |