HC3M0060065D
ID:29A VDSS:650V RDON:60mR N沟道
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- 描述
- 该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为处理650V高电压、大电流应用设计。具备29A连续电流承载能力，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻和高效散热性能，是现代电子设备实现高功率密度与能效的理想选择。
- 商品型号
- HC3M0060065D
- 商品编号
- C19723857
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 沟道类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源击穿电压(Vds) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| Coss-输出电容 | - |
梯度价格
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10+￥29.162￥41.66
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