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HC2M1000170D
ID:5A VDSS:1700V RDON:1000mR N沟道
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- 描述
- 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装，专为1700V超高电压、中等电流应用设计。额定电流5A，适用于严苛环境下的电源转换、逆变器和高压开关电路，具有卓越的高温稳定性、低导通电阻及快速开关特性，是现代电力电子设备的理想组件。
- 商品型号
- HC2M1000170D
- 商品编号
- C19723852
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω |