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10N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 此款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为处理高耐压、中等电流应用设计。具备650V的卓越击穿电压和10A连续工作电流，尤其适用于高压开关电路、电源转换器及逆变器系统，提供高效可靠的功率管理解决方案，是您提升电子设备性能的理想之选。
- 商品型号
- 10N65
- 商品编号
- C19723581
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 720mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 166pF |
商品概述
10N65采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS）= 650 V，漏极电流（ID）= 10 A
- 栅源电压（VGS）= 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）< 1.0 Ω
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源