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HC2M0040120D
ID:55A VDSS:1200V N沟道
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- 描述
- 这款工业级碳化硅N沟道MOSFET采用TO-247封装，针对1200V高压应用优化。额定电流高达55A，适用于极端条件下的电源转换、电机驱动和逆变系统，具有出色的高温稳定性、低导通损耗及快速开关特性，是现代高效能源管理与功率转换的关键器件。
- 商品型号
- HC2M0040120D
- 商品编号
- C19723847
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 16.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 171pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ |
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