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HC2M0040120K
ID:78A VDSS:1200V N沟道
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- 描述
- 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为1200V高压大电流应用打造。额定连续电流高达78A，尤其适用于高功率电源转换、电机驱动及逆变系统，具备卓越的高温稳定性能、低导通电阻和快速开关响应，是现代高效能源管理系统的核心半导体元件。
- 商品型号
- HC2M0040120K
- 商品编号
- C19723848
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 17.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 耗散功率(Pd) | 405W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.101nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 161pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |