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IRF740-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF740-HXY

1个N沟道 耐压:420V 电流:11A

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描述
这款N型场效应管具备11A的电流承载能力,能在400V电压下稳定工作。其内阻典型值为360mR,VGS为30V。适用于电源管理、信号放大及开关电路等应用,确保系统高效稳定运行。选择此款元器件,可信赖其性能与可靠性。
商品型号
IRF740-HXY
商品编号
C19723846
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.72克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)420V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))500mΩ@10V
耗散功率(Pd)87W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)29nC@10V
输入电容(Ciss)1.368nF
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
输出电容(Coss)90.3pF

商品特性

  • 无卤
  • TrenchFET 功率 MOSFET
  • 100% 经非钳位感性负载(UIS)测试

应用领域

  • 负载开关
  • 笔记本电脑
  • 台式电脑
  • 游戏机

数据手册PDF