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CSD17313Q2T
1个N沟道 耐压:30V 电流:19A
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- 描述
- CSD17313Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17313Q2T
- 商品编号
- C139338
- 商品封装
- SON-8(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@3V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款 30V、24mΩ、2mm x 2mm SON 封装的 NexFET 功率 MOSFET 旨在最大限度减少电源转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行优化。2mm x 2mm SON 封装在尺寸方面具备出色的热性能。
商品特性
- 针对 5V 栅极驱动优化
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
- SON 2mm × 2mm 塑料封装
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电池和负载管理应用