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CSD23280F3T
1个P沟道 耐压:12V 电流:1.8A
- 描述
- CSD23280F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD23280F3T
- 商品编号
- C139374
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 97mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 234pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
该 -12V、97mΩ P沟道FemtoFET MOSFET经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。
商品特性
- 低导通电阻
- 超低Qg和Qgd
- 高漏极工作电流
- 超小尺寸:0.73mm x 0.64mm
- 超薄型封装:最大厚度为0.36mm
- 集成型ESD保护二极管:额定值 > 4kV HBM;额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合RoHS
应用领域
- 针对负载开关应用进行了优化
- 针对通用开关应用进行了优化
- 电池应用
- 手持式和移动类应用