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CSD16556Q5B
1个N沟道 耐压:25V 电流:100A
- 描述
- CSD16556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16556Q5B
- 商品编号
- C140307
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 263A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 191W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.95nF |
商品概述
这款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。 特性：
- 超低电阻
商品特性
- 超低电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装
应用领域
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化
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