CSD16301Q2
1个N沟道 耐压:25V 电流:20A
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描述
CSD16301Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD16301Q2商品编号
C140340商品封装
WSON-6(2x2)包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 25V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ@8V,4A | |
功率(Pd) | 2.5W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@4A | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.8nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 340pF@12.5V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 17pF@12.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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