温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD17483F4
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CSD17483F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17483F4
- 商品编号
- C139403
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 370mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这款200毫欧、30伏的N沟道毫微微场效应管（FemtoFET™）MOSFET技术经过设计和优化，可在许多手持和移动应用中尽量减小占位面积。该技术能够替代标准小信号MOSFET，同时使占位面积至少减小60%。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极电荷(Qq)和栅漏电荷(Qgd)
- 低阈值电压
- 超小占位面积(0402封装尺寸)——1.0毫米×0.6毫米
- 超薄外形
- 高度0.36毫米
- 集成静电放电(ESD)保护二极管
- 人体模型(HBM)额定值>4千伏
- 带电器件模型(CDM)额定值>2千伏
- 无铅无卤
- 符合RoHS标准
应用领域
-针对负载开关应用进行优化-针对通用开关应用进行优化-单节电池应用-手持和移动应用