温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD75208W1015
2个P沟道 耐压:20V 电流:1.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CSD75208W1015 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双通道共源极、108mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD75208W1015
- 商品编号
- C139400
- 商品封装
- DSBGA-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@1.8V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 172pF |
商品概述
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型低厚度封装结合在一起，使得此器件成为电池供电运行空间受限应用的理想选择。
商品特性
- 双路P通道MOSFET共源配置
- 1.5mm x 1mm小尺寸封装
- 栅极 - 源电压钳位
- 栅极静电放电(ESD)保护 - 3kV
- 无铅
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单