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TLC372CDR
TLC372CDR
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- 描述
- TLC372 双通道通用 LinCMOS™ 差分比较器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TLC372CDR
- 商品编号
- C139354
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 比较器 | |
| 比较器数 | 双路 | |
| 输入失调电压(Vos) | 1.5mV | |
| 输入偏置电流(Ib) | 5pA | |
| 传播延迟(tpd) | 200ns | |
| 滞后电压(Vhys) | - | |
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 输出类型 | 开漏 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出模式 | CMOS；MOS；TTL | |
| 静态电流(Iq) | 150uA | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 18V | |
| 单电源 | 3V~16V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | 2V~18V；-18V~-2V | |
| 输入失调电流(Ios) | 1pA | |
| 响应时间(tr) | 0.2us |
商品概述
该器件采用LinCMOS技术制造，包含两个独立的电压比较器，每个比较器均设计为可由单电源供电。若两个电源之间的压差在2 V至18 V之间，也可采用双电源供电。每个器件具有极高的输入阻抗（典型值大于10^12 Ω），可直接与高阻抗源接口。输出为n沟道开漏配置，可连接以实现正逻辑线与关系。
商品特性
- 单电源或双电源供电
- 宽电源电压范围：2 V至18 V
- 低电源电流消耗：5 V时典型值为150 μA
- 快速响应时间……对于TTL电平输入阶跃，典型值为200 ns
- 内置ESD保护
- 高输入阻抗……典型值为10^12 Ω
- 极低的输入偏置电流：典型值为5 pA
- 超稳定的低输入失调电压
- 在最坏输入条件下，输入失调电压变化（包括前30天）典型值为0.23 μV/月
- 共模输入电压范围包含地
- 输出与TTL、MOS和CMOS兼容
- 引脚与LM393兼容
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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