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FDD5690
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD5690
- 商品编号
- C903573
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 30 A,60 V。VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.027 Ω
- VGS = 6 V时,RDS(ON) = 0.032 Ω
- 低栅极电荷(典型值23nC)
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)