温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD5N50NZFTM
1个N沟道 耐压:500V 电流:3.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD5N50NZFTM
- 商品编号
- C903575
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.47Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFETTM II MOSFET是仙童半导体基于先进平面条纹和DMOS技术推出的高压MOSFET系列。该先进MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻,还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外,内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。通过寿命控制,UniFET II FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其 trr 小于100nsec,反向dv/dt抗扰度为15V/ns,而普通平面MOSFET的 trr 超过200nsec,反向dv/dt抗扰度为4.5V/ns。因此,在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中,它可以减少额外元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- RDS(ON)= 1.47Ω(典型值)\left[VGS = 10V,ID = 1.85A\right]
- 低栅极电荷(典型值9nC)
- 低Crss(典型值4pF)
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
- 改进的ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-LCD/LED/PDP电视-照明-不间断电源