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FDD5N50NZFTM
1个N沟道 耐压:500V 电流:3.7A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD5N50NZFTM
- 商品编号
- C903575
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.47Ω@10V,1.85A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UltraFET® 设备集多种功能于一身，能够在功率转换应用中实现基准效率。这些设备针对导通电阻（Rds(on)）、低等效串联电阻（ESR）、低总栅极电荷以及米勒栅极电荷进行了优化，因此非常适合高频直流-直流转换器。
商品特性
- 在栅极-源极电压（VGS）为 10 伏时，典型导通电阻（Rds(ON)）为 0.040 欧姆
- 在栅极-源极电压（VGS）为 10 伏时，典型总栅极电荷（Qg(TOT)）为 29 纳库
- 具有低反向恢复电荷的体二极管
- 在高频下效率最大化
- 采用无钳位电感开关（UIS）规格
应用领域
- 直流-直流转换器 - 用于电信和数据通信的分布式电源架构 - 48 伏输入半桥/全桥电路 - 24 伏正向和推挽拓扑结构