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FDD5680
1个N沟道 耐压:60V 电流:8.5A
- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD5680
- 商品编号
- C903572
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W；60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.835nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SuperFET MOSFET是仙童半导体（Fairchild Semiconductor）第一代高压超结（SJ）MOSFET系列产品，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 在VGS = 6 V时,RDS(ON) = 0.025 Ω。
- 38 A、60 V。在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.021 Ω。
- 低栅极电荷(典型值为33 nC)。
- 快速开关速度。
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电机驱动器