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FDD5680
1个N沟道 耐压:60V 电流:8.5A
- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD5680
- 商品编号
- C903572
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W；60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.835nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货75-77个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5000 个)个
起订量：5000 个2500个/圆盘
总价金额：
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