温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD3860
1个N沟道 耐压:100V 电流:29A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此零部件采用专有的高密度沟槽 MOSFET 工艺，专门针对低 rDS(on) 和低 Qg 外形而设计，其雪崩坚固性适用于各种开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD3860
- 商品编号
- C903564
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.469565克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.74nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 5.9 A条件下,最大导通电阻rDS(on) = 36 mΩ
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻rDS(on)
- 经过100%单脉冲雪崩能量(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-交流转换-同步整流