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FDD390N15A
1个N沟道 耐压:150V 电流:26A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD390N15A
- 商品编号
- C903565
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.285nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合基于半桥配置的电子镇流器。
商品特性
- RDS(on) = 33.5 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 26 A
- 开关速度快
- 栅极电荷低,QG = 14.3 nC(典型值)
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 消费电器
- LED电视
- 同步整流
- 不间断电源
- 微型太阳能逆变器