温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD4141-F085
P沟道功率沟槽MOSFET，-40V，-50A，12.3mΩ
- 描述
- P沟道MOSFET采用专有PowerTrench技术，可实现低导通电阻（RDS(on)）和优化的Bviss能力，在应用中提供卓越的性能优势。同时，它还具备优化的开关性能，可降低转换器/逆变器应用中的功耗损失。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD4141-F085
- 商品编号
- C903570
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单