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FDD4141-F085
P沟道功率沟槽MOSFET，-40V，-50A，12.3mΩ
- 描述
- P沟道MOSFET采用专有PowerTrench技术，可实现低导通电阻（RDS(on)）和优化的Bviss能力，在应用中提供卓越的性能优势。同时，它还具备优化的开关性能，可降低转换器/逆变器应用中的功耗损失。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD4141-F085
- 商品编号
- C903570
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.085nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能实现具有更高整体效率的DC/DC电源设计。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -12.7 A时,最大导通电阻rDS(on) = 12.3 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -10.4 A时,最大导通电阻rDS(on) = 18.0 mΩ
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻rDS(on)
- 通过AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电源