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FDD390N15ALZ
1个N沟道 耐压:150V 电流:26A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD390N15ALZ
- 商品编号
- C903566
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.76nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET是安森美半导体基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 26 A条件下,RDS(on) = 33.4 mΩ(典型值)
- 在VGS = 4.5 V、ID = 20 A条件下,RDS(on) = 42.2 mΩ(典型值)
- 开关速度快
- 栅极电荷低,QG = 17.6 nC(典型值)
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
- 具备高功率和高电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 消费类电器
- LED电视
- 同步整流
- 不间断电源
- 微型太阳能逆变器