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FDD3690
1个N沟道 耐压:100V 电流:22A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD3690
- 商品编号
- C903563
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.514nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 当VGS = 6 V时,RDS(ON) = 71 mΩ
- 22 A、100 V。当VGS = 10 V时,RDS(ON) = 64 mΩ
- 低栅极电荷(典型值为28 nC)
- 快速开关
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- 直流-直流（DC/DC）转换器和离线式不间断电源（UPS）
- 分布式电源架构和电压调节模块（VRM）
- 24V和48V系统的初级开关
- 高压同步整流器