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FDD3672
1个N沟道 耐压:100V 电流:44A
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- 描述
- 特性：rDS(ON) = 24mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 44A。Qg(tot) = 24nC（典型值），VGS = 10V。低米勒电荷。低Qrr体二极管。高频下优化效率。UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。应用：DC/DC转换器和离线式UPS。分布式电源架构和VRM
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD3672
- 商品编号
- C903561
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.71nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 24 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 44 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 24 nC(典型值),栅源电压VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷体二极管
- 高频下效率优化
- 非钳位感性负载开关能力(单脉冲和重复脉冲)
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源
- 分布式电源架构和电压调节模块
- 24V和48V系统的初级开关
- 高压同步整流器