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FDD26AN06A0-F085
FDD26AN06A0-F085
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD26AN06A0-F085
- 商品编号
- C903560
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能够实现具有更高整体效率的DC/DC电源设计。
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 20 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 36 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 13 nC(典型值),栅源电压VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷(QRR)体二极管
- 具备非钳位感性开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
- 通过AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机/车身负载控制
- 防抱死制动系统(ABS)
- 动力总成管理
- 喷射系统
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 12V和24V系统的初级开关