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FDD2670
1个N沟道 耐压:200V 电流:3.6A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，此类 MOSFET 开关速度更快，门极电荷更低。因此该 MOSFET 驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC 电源设计具有更高的总体能效。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD2670
- 商品编号
- C903559
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V,3.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W；70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.228nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 20 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 36 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 13 nC（典型值），栅源电压VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷（QRR）体二极管
- 具备非钳位感性开关（UIS）能力（单脉冲和重复脉冲）
- 通过AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机/车身负载控制
- 防抱死制动系统（ABS）
- 动力总成管理
- 喷射系统
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源（UPS）
- 分布式电源架构和电压调节模块（VRM）
- 12V和24V系统的初级开关