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FDD18N20LZ
1个N沟道 耐压:200V 电流:16A
- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD18N20LZ
- 商品编号
- C903557
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.575nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺，具备坚固的栅极结构。该器件专为低导通电阻（rDS(on)）和低栅极电荷（Qg）优值而设计，具有雪崩耐量，适用于广泛的开关应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 5.9 A条件下，最大导通电阻rDS(on) = 36 mΩ
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 经过100%单脉冲雪崩能量（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-交流转换-同步整流