NVBLS1D1N08H
1个N沟道 耐压:80V 电流:351A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVBLS1D1N08H
- 商品编号
- C903215
- 商品封装
- MO-299A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 351A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.92mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 311W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 166nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.2nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 降低开关噪声/电磁干扰
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
