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NVBLS4D0N15MC
1个N沟道 耐压:150V 电流:187A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVBLS4D0N15MC
- 商品编号
- C903216
- 商品封装
- MO-299A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.913克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 187A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 316W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.49nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27.2pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
SuperFET® II 型 MOSFET 是一款全新的高压超结（SJ）型 MOSFET 系列产品，它采用了电荷平衡技术，从而实现了极低的导通电阻和更低的栅极电荷性能。该技术旨在最大程度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 值和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II 型 MOSFET 非常适用于音频、笔记本适配器、照明、ATX 电源和工业电源等开关电源应用领域。
商品特性
- 漏源导通电阻 RDS(on) = 3.4 Ω（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值 Qg = 6.8 nC）
- 低输出寄生电容能量 Eoss（典型值 0.8 μJ，400 V 时）
- 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 36 pF）
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
- 改进的静电放电能力
应用领域
- 交流 - 直流电源
- LED 照明