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FCD7N60TM-WS
1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
- 描述
- SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCD7N60TM-WS
- 商品编号
- C903551
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 24 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 44 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 24 nC（典型值），栅源电压VGS = 10 V
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷体二极管
- 高频下效率优化
- 非钳位感性负载开关能力（单脉冲和重复脉冲）
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式不间断电源
- 分布式电源架构和电压调节模块
- 24V和48V系统的初级开关
- 高压同步整流器