NVBLS0D5N04M8TXG
1个N沟道 耐压:40V 电流:300A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVBLS0D5N04M8TXG
- 商品编号
- C903213
- 商品封装
- MO-299A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.46mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 429W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 220nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 600pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 降低开关噪声/电磁干扰
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准
应用领域
-电动工具、电池供电吸尘器-无人机、物料搬运-电池管理系统/储能、家庭自动化