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NTBLS002N08MC
1个N沟道 耐压:80V 电流:238A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBLS002N08MC
- 商品编号
- C903209
- 商品封装
- MO-299A
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 238A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这些产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠且快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达500mA直流电流的应用。这些产品特别适用于低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。
商品特性
- 低导通电阻 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷 QG 和电容,以最小化驱动损耗
- 降低开关噪声/电磁干扰
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
-电动工具、电池供电吸尘器-无人机、物料搬运-电池管理系统/储能、家庭自动化