NTBS2D7N06M7
1个N沟道 耐压:60V 电流:110A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBS2D7N06M7
- 商品编号
- C898807
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 6.655nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子镇流器。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 RDS(on) = 2.2 m Ω
- 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 Qg(tot) = 80 nC
- 非钳位感性负载(UIS)能力
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
- 工业电机驱动
- 工业电源
- 工业自动化
- 电池供电工具
- 电池保护
- 太阳能逆变器
- 不间断电源(UPS)和能量逆变器
- 储能
- 负载开关