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FDB075N15A-F085
1个N沟道 耐压:150V 电流:110A
- 描述
- N 沟道 Power Trench MOSFET 150V，110A，5.5 mΩ，此款最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC 和软反向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB075N15A-F085
- 商品编号
- C898546
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 5.595nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 典型漏源导通电阻（RDS(on)） = 160 mΩ
- 超低栅极电荷（典型总栅极电荷（QG(tot)） = 34 nC）
- 低有效输出电容（典型输出电容（Coss） = 50 pF）
- 100% 进行 UIL 测试
- 通过 AEC-Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 该器件无卤化物，符合 RoHS 指令豁免条款 7a，二级互连（second level interconnection）无铅
应用领域
-汽车车载充电器-电动汽车/混合动力汽车的汽车 DC-DC 转换器