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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDB075N15A-F085

1个N沟道 耐压:150V 电流:110A

描述
N 沟道 Power Trench MOSFET 150V,110A,5.5 mΩ,此款最新的屏蔽门极 PowerTrench MOSFET 具有更小的 QSYNC 和软反向恢复本征体二极管性能,开关速度快,可大幅提高同步整流的效率。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDB075N15A-F085
商品编号
C898546
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
1.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)333W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)5.595nF
反向传输电容(Crss)16pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 rDS(on) = 5.5 m Ω
  • 在 VGS = 10 V、ID = 80 A 条件下,典型 Qg(\text tot) = 80 nC
  • 具备单脉冲雪崩耐量
  • 符合 RoHS 标准
  • 通过 AEC Q101 认证

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力系统管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 集成式起动机/交流发电机
  • 12V 系统主开关

数据手册PDF