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DMP3056L-7-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP3056L-7-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A

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描述
该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,专为30V电压系统设计,具备4.2A高电流处理能力。具有出色的低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,提供高效、可靠的功率转换与控制功能。
商品型号
DMP3056L-7-HXY
商品编号
C6285740
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.035833克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.2A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)8.5nC
输入电容(Ciss)880pF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

  • 8.5

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