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IRLML6344TRPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLML6344TRPBF-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A

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描述
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于30V电压系统,提供高达5.8A的大电流承载能力。具备出色的低导通电阻与快速开关特性,特别适合充电器、电源模块及高效能电子设备中,实现精准、稳定的功率控制和转换需求。
商品型号
IRLML6344TRPBF-HXY
商品编号
C6285738
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0331克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))900mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)825pF
反向传输电容(Crss)78pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)100pF

数据手册PDF