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IRLML6344TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供高达5.8A的大电流承载能力。具备出色的低导通电阻与快速开关特性，特别适合充电器、电源模块及高效能电子设备中，实现精准、稳定的功率控制和转换需求。
- 商品型号
- IRLML6344TRPBF-HXY
- 商品编号
- C6285738
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0331克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRLML6344TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 5.8A
- 在栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 30 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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