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SIHP12N50C-E3
1个N沟道 耐压:500V 电流:7.5A
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- 描述
- 特性：低品质因数 Rₒₙ × Q₉。 100%雪崩测试。 改进的栅极电荷。 改进的 Tᵣᵣ / Qᵣᵣ。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP12N50C-E3
- 商品编号
- C5900032
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6552克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 555mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.375nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品特性
- 低品质因数 R\text on x Q\text g
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷改善
- Trr / Qrr 改善
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
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