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SIJA54DP-T1-GE3实物图
  • SIJA54DP-T1-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIJA54DP-T1-GE3

SIJA54DP-T1-GE3

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIJA54DP-T1-GE3
商品编号
C5900042
商品封装
PowerPAKSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)32.2A
耗散功率(Pd)4.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.4V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)5.3nF
反向传输电容(Crss)105pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • TrenchFET第四代功率MOSFET
  • 针对最低的漏源电阻(RDS)-输出电容电荷(Qoss)品质因数(FOM)进行优化
  • 经过100%反向恢复电荷(Rq)和非钳位感性开关(UIS)测试
  • 栅漏电荷(Qgd)/栅源电荷(Qgs)比 < 1,优化开关特性

应用领域

  • 同步整流
  • 或门二极管
  • 高功率密度DC/DC
  • 电压调节器模块(VRMs)和嵌入式DC/DC
  • DC/AC逆变器
  • 负载开关

数据手册PDF