SQD100N03-3M2L_GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD100N03-3M2L_GE3
- 商品编号
- C5900597
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.316nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 471pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- 同步降压转换器
- 负载开关
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