温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.031nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS - Qg品质因数（FOM）
- 针对最低的RDS - Qoss FOM进行了优化
- 100%进行Rq和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 太阳能微型逆变器
- 电机驱动开关
- 电池和负载开关
- 工业应用
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