- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJ848EP-T1_GE3
SQJ848EP-T1_GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ848EP-T1_GE3
- 商品编号
- C5900615
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电机驱动开关
- 电路保护
- 负载开关
- SQJ872EP-T1_GE3
- SQM120N04-1M9_GE3
- SQS840EN-T1_BE3
- SMM-109-02-S-D-TR
- SMM-109-02-S-S-TR
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- SMM-110-01-S-D-12
- SQR141U1LAW
- SMM-110-01-S-S-P
- SQR22601LA
- SMM-110-02-H-D-P
- SQR226U1LAW
- SMM-110-02-L-D-LC-K-TR
- SQR226U1WHW
- SMM-110-02-S-D-P
- SMM-110-02-SM-D-TR
- SQT-102-02-F-D
- SMM-111-01-L-S
- SQT-102-02-G-S
- SMM-111-02-F-D-K-TR